Professor Lebedew's' estimate of the accuracy of his work is such as to admit of possible errors of twenty per cent. 半導体中の電子とホール（正孔） k T = 0 E エネルギーの低いバンド （価電子帯）を電子が エネルギーの高いバ 完全に満たしている 価電子帯の電子が ンド（伝導帯）に遷移 電子 ホール（正孔） ホール＝電子の抜け殻 運動量、エネルギー、 有効質量、電荷
半導体 古典への回帰 11.1 導入 実験事実 ... 従って、各方 向の有効質量 の相乗平均をm e def=:3 √ m m xmy z と定義すれば、(11.1) 式に帰着する。 178.
1．半導体のエネルギー構造とバンドエン ... バンドの曲率より電子の有効質量me*は0.065m0 である。GaAs の伝導帯はL点やX点でも ... ンドの曲線の形状はゆるやかな下に凸の曲線 であり、バンドの曲率から求められる有効質量 はΓ点と比較して非常に大きい。 ここでmr は価電子帯の有効質量と伝導帯の有効質量の還元質量である バンドが球対称（k 空間での等エネルギー面が球）であれば二乗平均運動量演算子
ややこしい言い方をすると， … 電子の存在確率が1から0に変わるところとも言える. EF=1eV .
固有半導体では禁止帯付近での電子とホールのやり取りのみが問題となるので、この有効質量の正負反転を考慮しなければならない。 さて、図1-6の波形は数値計算によって得たものであり、青い曲線を厳密に数式で表すことはできない。 bance was due to the high heat conductivity of thin vanes rather than to the high vacua employed. 算値と実験値の不一致は，実験値の方に問題があったことが明らかとなった。最近，実験値の見直しが 行われたが，計算値はこの実験値によく一致している。ウルツ鉱型GaN，AlNの電子有効質量の異方性 は小さいことがわかった。 *1 有効質量の異方性を考慮した状態密度は、D C(E) = V ˇ2ℏ3 √ 2mxmym z (E EC) となる。従って、各方 向の有効質量の相乗平均をm e def=:3 √ m m xmy z と定義すれば、(11.1) 式に帰着する。 178
[Voz. E. P. A"lCHOZS AA'D G. J.H'UZL. 有効質量、電荷 ・・・元の電子に対し、抜け殻 で考えると符号が変わる 伝導帯 価電子帯 T > 0 伝導帯下端 価電子帯上端 10-6 . とした場合 1.真性半導体とは 真性半導体 とは、全く不純物のはいっていない (とみなせる) 半導体のことである。現在使われている半導体の純度はとんでもない数字で、例えばSiなら純度99.9999999999999% (9が15個) とかそういうレベルのものだ。